在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。BTBT最早由Zener在1934年提出来。pn结在反偏状态下，当n区导带中某些未被电子占据的空能态与p区价带中某些被电子占据的能态具有相同的能量，而且势垒区很窄时，电子会从p区价带隧穿到n区导带。下图是一个典型的双栅结构的Si TFET示意图，其中tox表示栅介质的厚度，tsi表示体硅的厚度。TFET是一个p+-i-n+结构，i区上方是栅介质和栅电极。它通过栅极电压的变化调制i区的能带来控制器件的电流。
