场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极...

关于这两个电子器件在很多电路中都会遇到，比如场效应管可以作为电磁炉中的开关振荡管、电瓶车充电器电路中作为开关管使用，场效应管尤其在电脑主板中用的比较多；对于晶闸管我们俗称可控硅，这...

靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，...

Source、Drain、Gate 场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G （这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿） 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。...

逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过管子的电流很大，若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效应管发热。 1、场效应管的选型不合适 逆变器中的场效应管工作...

1、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。 工作特性如下： uGS开启电压UT：MOS管工作在截止区，漏源...

在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。BTBT...

（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要...

与非门 与非门（英语：NANDgate）是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门，功能见左侧真值表。若当输入均为高电平（1），则输出为低电平（0）;若输入中至少有一个为低电平（0），则输出为高电平（1）...

IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超...