分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻，缩写为R DS （on）。这个R DS （on）的想法看起来非常简单：当FET截止时，源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。当F...

mos管基本参数 Coss：输出电容Coss=CDS+CGD。 Ciss：输入电容Ciss=CGD+CGS（CDS短路）。 Tf：下降时刻。输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时刻。 Td（off）：关断延迟时刻。输入电压下降到90%...

与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）； （2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω...

在简单的了解MOS管的基本原理以及相关参数后，如何在实际的电路中运用是我们努力的方向。比如在实际的MOS驱动电路设计中，如何去根据需求搭建电路，计算参数，根据特性完善电路，根据实际需求留...

并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。 MOS管并联方法电路图 ...

三极管是由基极注入电流的大小来直接影响集电极电流大小的一种器件，是一种电流控制电流型器件。还有一种半导体器件是利用输入电压来控制输出电流的器件，叫做场效应管。 结型场效应管 场效应管...

mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。 无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的...

场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极...

在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。BTBT...

一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截...