NMOS材料场效应管的参数大全

直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，

②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，

③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，

④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。

使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。

2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

NMOS材料MOS管选择系统重要参数表

1、负载电流IL
它直接决议于MOSFET的输出才能；

2、输入—输出电压
它受MOSFET负载占空比才能限制；

3、MOS开关频率FS
这个参数影响MOSFET开关霎时的耗散功率；

4、MOSFET最大允许工作温度
要满足系统指定的牢靠性目的;

MOSFET设计选择
一旦系统的工作条件（负载电流，开关频率，输出电压等）被肯定，功率MOSFET在参数方面的选择如下：

1 、RDSON的值
最低的导通电阻，能够减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET较高电阻器件。

2、 散热
假如空间足够大，能够起到外部散热效果，就能够以较低本钱取得与较低RDSON一样的效果。也能够运用外表贴装MOSFET到达同样效果，详见下文第15行。

3 、MOSFET组合
假如板上空间允许，有时分，能够用两个较高RDSON的器件并联，以取得相同的工作温度，并且本钱较低。

场效应管的主要特性参数
场效应管的直流参数
1.夹断电压Up
在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。

2. 开启电压UT
在UDS为某一固定值的条件下，使S 极与D 极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。

3. 饱和电流IDSS
在UDS =0的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。

4. 直流输入电阻RGS
在场效应管输入端(即栅源之间)所加的电压Ucs 与流过的栅极电流之比，称作直流输入电阻。绝缘栅型场效应管的直流输入电阻比结型场效应管大两个数量级以上。结型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 8Ω，而绝缘栅型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 12Ω 以上。

5. 漏源击穿电压BVDS
在增大漏师、电压的过程中.使ID开始剧增的UDS值，称为漏源击穿电压。BVDS确定了场效应管的使用电压。

6. 栅源击穿电压BVGS
对结型场效应管来说，反向饱和电流开始剧增时的UGS值，即为栅游、击穿电压。对于绝缘栅型场效应管来说，它是使SiO2 绝缘层击穿的电压。

1、极限参数
ID :最大漏源电流.是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.

IDM :最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系，此参数会随结温度的上升而有所减额.

PD :最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）

VGS :最大栅源电压.，一般为：-20V~+20V

Tj :最大工作结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度,并留有一定裕量. （此参数靠不住）

TSTG :存储温度范围。

2、静态参数
V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0 时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑. 加负压更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数,一般为 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在特定的 VGS (一般为 10V )、结温及漏极电流的条件下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET 导通时的消耗功率.此参数一般会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算.

VGS(th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道.应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压.此参数一般会随结温度的上升而有所降低.

IDSS :饱和漏源电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.一般在微安级.

IGSS :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大,IGSS 一般在纳安级.

常用场效应管参数手册大全
Cds—漏-源电容

Cdu—漏-衬底电容
Cgd—栅-源电容
Cgs—漏-源电容
Ciss—栅短路共源输入电容
Coss—栅短路共源输出电容
Crss—栅短路共源反向传输电容
D—占空比（占空系数，外电路参数） di/dt—电流上升率（外电路参数） dv/dt—电压上升率（外电路参数） ID—漏极电流（直流）
IDM—漏极脉冲电流
ID(on)—通态漏极电流
IDQ—静态漏极电流（射频功率管） IDS—漏源电流
IDSM—最大漏源电流
IDSS—栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat)—沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG—栅极电流（直流）
IGF—正向栅电流
IGR—反向栅电流
IGDO—源极开路时，截止栅电流
IGSO—漏极开路时，截止栅电流
IGM—栅极脉冲电流
IGP—栅极峰值电流
IF—二极管正向电流
IGSS—漏极短路时截止栅电流
IDSS1—对管第一管漏源饱和电流
IDSS2—对管第二管漏源饱和电流
Iu—衬底电流
Ipr—电流脉冲峰值（外电路参数） gfs—正向跨导
Gp—功率增益
Gps—共源极中和高频功率增益
GpG—共栅极中和高频功率增益
GPD—共漏极中和高频功率增益
ggd—栅漏电导
gds—漏源电导
K—失调电压温度系数
Ku—传输系数
L—负载电感（外电路参数）
rDS(on)—漏源通态电阻
rDS(of)—漏源断态电阻
rGD—栅漏电阻
rGS—栅源电阻
Rg—栅极外接电阻（外电路参数） RL—负载电阻（外电路参数）
R(th)jc—结壳热阻
R(th)ja—结环热阻
PD—漏极耗散功率
PDM—漏极最大允许耗散功率
PIN–输入功率
POUT—输出功率
PPK—脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)—开通延迟时间
td(off)—关断延迟时间
ti—上升时间
ton—开通时间
toff—关断时间
tf—下降时间
trr—反向恢复时间
Tj—结温
Tjm—最大允许结温
Ta—环境温度
Tc—管壳温度
Tstg—贮成温度
VDS—漏源电压（直流）
VGS—栅源电压（直流）
VGSF–正向栅源电压（直流）
VGSR—反向栅源电压（直流）
VDD—漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG—栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss—源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)—开启电压或阀电压
V（BR）DSS—漏源击穿电压
V（BR）GSS—漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)—漏源通态电压
VDS(sat)—漏源饱和电压
VGD—栅漏电压（直流）
Vsu—源衬底电压（直流）
VDu—漏衬底电压（直流）
VGu—栅衬底电压（直流）
Zo—驱动源内阻
η—漏极效率（射频功率管）
Vn—噪声电压
aID—漏极电流温度系数
ards—漏源电阻温度系数